ER- and PR-characterization of compound semiconductors.

نویسندگان

چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Optical Characterization of Compound Semiconductors Using Photoconductivity and Photoreflectance

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .ii Acknowledgments . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .iii Table of

متن کامل

synthesis and characterization of some macrocyclic schiff bases

ماکروسیکلهای شیف باز از اهمیت زیادی در شیمی آلی و دارویی برخوردار می باشند. این ماکروسیکلها با دارابودن گروه های مناسب در مکانهای مناسب می توانند فلزاتی مثل مس، نیکل و ... را در حفره های خود به دام انداخته، کمپلکسهای پایدار تولید نمایند. در این پایان نامه ابتدا یک دی آلدئید آروماتیک از گلیسیرین تهیه می شود و در مرحله بعدی واکنش با دی آمینهای آروماتیک و یا آلیفاتیک در رقتهای بسیار زیاد منجر به ت...

15 صفحه اول

Hydrogen in compound semiconductors

Hydrogen can be inadvertently introduced at any of several steps in the fabrication of optoelectronic devices. The most common consequence of hydrogenation is the passivation of dopant impurities, which leads to a decrease in the electrical conductivity of the material. The most successfully applied experimental technique for directly determining the involvement of hydrogen has been infrared-ab...

متن کامل

Technology Roadmaps for Compound Semiconductors

The roles cited for compound semiconductors in public versions of existing technology roadmaps from the National Electronics Manufacturing Initiative, Inc., Optoelectronics Industry Development Association, Microelectronics Advanced Research Initiative on Optoelectronic Interconnects, and Optoelectronics Industry and Technology Development Association (OITDA) are discussed and compared within t...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Nihon Kessho Gakkaishi

سال: 1990

ISSN: 0369-4585,1884-5576

DOI: 10.5940/jcrsj.32.6